搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 IGBT”相关记录22条 . 查询时间(0.04 秒)
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
中国科学院微电子研究所专利:逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 逆导 IGBT器件结构
2023/7/11
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实现快速故障保护的IGBT驱动电路
HCPL-316J IGBT驱动电路 故障保护
2016/5/23
针对较复杂的变流系统中,主控系统的延滞会影响IGBT模块故障保护失败的问题,设计一种快速故障保护的IGBT驱动电路。分析了现有应用方式存在HCPL-316J两个输入端中的另一个端子的功能没有得到充分利用的缺陷,通过对HCPL-316J的信号输入端Vin+、Vin-和故障信号反馈端FAULT的应用研究,改进为FAULT信号反馈回另一个输入端子,光耦芯片故障信号发出后立即封锁IGBT驱动信号,完全消除...
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/201110/20/2011102016721670.jpg)
中国科学院微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破(图)
中国科学院微电子所 6500V超高压 IGBT研制 重要突破
2011/10/20
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)研制方面,继上半年1700V系列之后,近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT(沟槽栅场截止型)产品,在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成,测试结果显示阻断电压达7100V以上,符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
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微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破(图)
微电子所 研制 突破
2011/10/28
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)研制方面,继上半年1700V系列之后,近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT(沟槽栅场截止型)产品,在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成,测试结果显示阻断电压达7100V以上,符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/201110/28/20111028161741899.jpg)
微电子所1700V IGBT研制首次流片取得突破(图)
1700V IGBT研制 流片 突破
2011/10/28
近期,由中国科学院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。