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半导体所在HgTe半导体量子点研究取得新进展（图）
半导体量子点 研究
2011/11/7
近年来拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体，而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言，拓扑绝缘体纳米结构的研究则刚刚开始，这对构造新型的电子学器件是十分重要的。由于纳米制备技术复杂，因此目前实验上难于制备高质量的...
近年来，拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体，而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言，拓扑绝缘体纳米结构的研究则刚刚开始，这对构造新型的电子学器件是十分重要的。由于纳米制备技术复杂，因此目前实验上难于制备高质量...
半导体所HgTe二维电子气边缘态输运的全电控制取得新进展
全电控制 进展
2011/11/7
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。
HgTe二维电子气pn结中电子输运研究取得重要进展
电子输运 研究
2011/11/7
半导体材料HgTe由于其独特的反转的能带结构（或称负能隙）近年来在国际上引起了广泛的关注。德国Wuerzburg大学的L. W. Molenkamp和H. Buhmann教授领导的实验组在HgTe的量子阱中发现了量子自旋霍尔效应，印证了美国Standford大学张守晟教授的理论预言。由于出色的研究工作，他们分享了2010年度欧洲物理学奖。