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本发明涉及一种P型负温度系数陶瓷材料的欧姆接触电极的制备方法。该方法使用直流磁控溅射技术，选用现有的四元系钴锰铁锌P型负温度系数陶瓷材料为陶瓷基体，先在陶瓷基体表面蒸镀第一层35nm‑1200nm Pd或Ni作为过渡层，之后再蒸镀一层400nm的Ag作为焊接层，然后在温度400℃‑800℃快速退火，得到具有良好欧姆接触的电极。经检测结果表明，该电极具有良好的欧姆接触、牢固的...
中国科学院金属研究所专利：一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法
中科院金属所 专利 硅纳米薄膜 制作方法
2023/8/15
中国科学院金属研究所专利：一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法。
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
中国科学院微电子研究所专利：一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...
徐喆研究组发现重离子碰撞中欧姆定律的破坏（图）
重离子碰撞 欧姆定律 电磁场 夸克胶子等离子体
2022/5/17
在重离子碰撞实验中，以接近光速相向运动的两个重离子在碰撞区域产生了实验室能制造出的最强电磁场，碰撞中产生的由夸克、胶子等基本粒子构成的QCD物质置身于强电磁场中。强电磁场对QCD物质会产生影响，诸如手征磁效应等量子效应被广泛研究。尤其在实验上，科学家们不断地寻找各种电磁效应的实验信号，但至今仍然不能将这些预言的实验信号从复杂的背景数据中提取出来。QCD物质的电磁效应是否显著取决于电磁场的强度。由运...
成都理工大学信息科学与技术学院大学物理II课件第十章第四节 全电路欧姆定律。
成都理工大学信息科学与技术学院大学物理II课件第十章第二节 欧姆定律的微分形式。
欧姆定律的发现（图）
欧姆定律 物理 电压
2014/5/16
学过物理的人都知道，I（电流）=U（电压）/R（电阻）是欧姆定律的数学表达式，它表明了导体中的电流强度I与它两端的电压U成正比，跟它的电阻R成反比。如此简单明了的定律，其发现过程却一点都不简单。1820年，德国物理学家欧姆开始系统地研究电学理论。当时，在电的研究中，科学家们隐约地感觉到电流有一些神秘的规律，但由于没有一种稳定的电源，也没有一种较精确的测量电流强度的仪器，致使探索电流规律的工作十分艰...
中国科学技术大学电磁学课件第二章 稳恒电流 第四节 欧姆定律。
980 nm 垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备
垂直腔面发射激光器 欧姆接触 合金
2012/12/12
研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440 ℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 Ω,同时对比了440 ℃和450 ℃器件的输出功率和转换效率之间的对比...
适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
氮化镓器件 N型欧姆接触 制作方法
2011/11/3
本发明公开了一种适用于氮化镓（ＧａＮ）器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛／铝／钛／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）欧姆接触可能造成金属侧流和合金表面形貌粗糙的问题。针对铝镓氮／氮化镓异质结高电子迁移率器件（ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ）源／漏欧姆接触工艺中常规采用的Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ金属系，提出二次独立快速热退火技术方案，其中高温持续时间明显缩短，该技术使欧姆接触特性和...