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本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法,采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法,建立了完整的模拟电路SET表征方法,采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性,而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法,基于模拟电路单粒子损伤机制,即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程,充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响,建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
半导体量子器件的制备和自旋态研究。
中国科学院微电子研究所专利:高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
中国科学院微电子研究所专利:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
2023年4月27日下午15:00,“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行,报告由翟亚新教授主讲,廖洁桥副院长主持,学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
侯洵,研究员,中国科学院院士,著名光电子学和瞬态光学专家。现任国际高速摄影与光子学会议国际顾问委员、中国光学学会常务理事、陕西物理学会理事长、光子学报主编、中国光学快报编委等职。我国高时间分辨诊断技术与光电子学专家,先后作为主要参加者,学术带头人和组织领导人研制成从X射线至可见光乃至红外敏感的9种变象管相机及各种象增强器等,为我国高时间分辨诊断技术与光电子学做出了杰出贡献,使我国变象管诊断技术和光...

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