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中国科学院物理研究所阿秒凝聚态物理——见证一门新型交叉学科的兴起（图）
凝聚态物理 光电子 半导体器件
2023/11/11
阿秒脉冲技术是本世纪激光技术及超快科学的一个重大突破，由于具有阿秒（1阿秒=10-18秒）和皮米（1 皮米 =10-12 米）量级的超高时空分辨率，阿秒脉冲2023年来已经成为在凝聚态物理、材料科学、化学生物、信息成像等领域开拓新应用、发现新现象的重要手段。2023年诺贝尔物理学奖被授予Pierre Agostini、Ferenc Krausz和Anne L’Huillier三位物理学家，以表彰他...
中国科学院微电子研究所专利：高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
中国科学院微电子研究所 专利 高稳定性 非晶态 金属氧化物 TFT器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
“量子”学术沙龙第三期：杂化半导体中的自旋量子态调控（图）
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
2023/5/11
2023年4月27日下午15:00，“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行，报告由翟亚新教授主讲，廖洁桥副院长主持，学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
中国科学技术大学杨金龙课题组李星星团队通过调整有机连接体的自旋态和晶体结构的对称性/拓扑性在二维铬(Cr)基五元杂环金属有机框架中理论预言了一类同时具有五种重要功能特性的单层磁性半导体材料。这五种功能包括拉胀效应，室温亚铁磁性，极为罕见的涡旋手性铁电性，电学可控的自旋极化，以及C4对称保护的拓扑节线/节点。这类材料是当前集成功能最多的一类二维材料，在磁性、手性、铁电、拓扑和多功能材料领域均具有重要...
中国科学院化学研究所赵永生课题组实现三重态促进的高效有机固态激光（图）
中国科学院化学研究所 赵永生 三重态促进 高效 有机固态激光
2020/12/16
在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，中国科学院光化学重点实验室赵永生课题组近年来一直致力于有机固态激光器的理论研究（Acc. Chem. Res. 2016, 49, 1691-1700）和应用开发（Nat. Commun. 2019, 10, 870）。针对有机光学增益材料载流子迁移率不平衡带来的极化子损耗问题，他们构筑了具有平衡双极传输特性的电荷转移复合物增益介质，首次实现了这类...
单线态和三线态是电子自旋的两种主要状态。由于三线态回归基态属于对称性禁阻，因此三线态材料具有各种不同于单线态材料的新颖性质，在光电和生物等领域都具有广泛的应用前景。为了有效获得三线态材料，需要提升单线态与三线态之间的系间窜越常数。如何通过分子设计方法实现系间窜越常数的有效调控，开发高性能三线态有机半导体材料，是一项非常具有挑战性的工作。近期，中国科学院大学（以下简称“国科大”）材料科学与光电技术学...
上海交通大学化学化工学院张帆研究员课题组在碳-碳键动态共价化学及二维晶态聚合物半导体材料方面获得进展（图）
上海交通大学化学化工学院 张帆 课题组 碳-碳键动态 共价化学 二维晶态 聚合物 半导体材料
2019/7/29
石墨烯作为一种明星材料，近年来在世界范围内受到了来自多个领域学者的持续高度关注，但理论上石墨烯是一种零带隙类金属材料，难以在半导体领域发挥作用。从合理设计并制备有机小分子功能单体或砌块出发，结合有效的聚合方法，制备各类线型或树枝状有机共轭寡聚体和聚合物半导体材料，并精准调控其带隙和能级，业已成为有机半导体材料领域的通用策略。如何充分发挥丰富的有机合成手段，通过“自下而上”法，在溶液中可控构建石墨烯...
上海交通大学工程力学系动态测试与分析技术课件第8章 实验模态分析初步(2)。
双光注入分布反馈半导体激光器的非线性动力学态实验研究
分布反馈半导体激光器 DFB-SLs 双光注入 非线性动力学 单周期 倍周期 混沌
2014/2/17
实验研究了分布反馈半导体激光器（DFB-SLs）在双光注入下的非线性动力学行为. 研究结果表明：与单光注入相比，双光注入将使DFB-SLs呈现更丰富、更复杂的非线性动力学行为. 固定两注入光的波长，获得了双光注入强度取不同值时DFB-SLs输出的光谱和功率谱信息. 基于这些信息，对处于A，B和C三种不同情形下双光注入DFB-SLs所呈现的一些典型的动力学状态进行了判定. 最后，给出了双光注入DFB...
通过坐标变换把量子棒的哈密顿量由椭球边界变为球形边界.采用线性组合算符和么正变换方法研究了量子棒中弱耦合杂质极化子的第一内部激发态能量、激发能量和从第一内部激发态到基态跃迁频率随量子棒的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势、椭球的纵横比的变化关系.结果表明:它们随库仑束缚势的增加而增大,随纵横比和有效受限长度的增加而减少.表现出量子棒珍奇的量子尺寸限制效应.
半导体所HgTe二维电子气边缘态输运的全电控制取得新进展
全电控制 进展
2011/11/7
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。
用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命
半导体 MOS电容 少子产生寿命
2009/9/23
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。
高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析
CMOS数字集成电路 瞬态特性 高温CMOS
2009/9/1
本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。