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半导体测试技术 态
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上海交通大学工程力学系动态测试与分析技术课件第8章 实验模态分析初步(2)
上海交通大学工程力学系动态测试与分析技术课件第8章 实验模态分析初步
2014/5/21
上海交通大学工程力学系动态测试与分析技术课件第8章 实验模态分析初步(2)。
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文献传递
用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命
半导体
MOS电容
少子产生寿命
2009/9/23
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。
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