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中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展（图）
三维神经 形态计算 微电子
2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列，其中不同层器件分别具有非易失性和易失性，这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件（字线：TiN）和第2层器件（字线：Ru）分别表现出不同的动态特性，可以用于构建多时间尺度储备池计算网络；第3层器（WL：W）表现出了多比特存储的非易失特性，可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
东南大学电子科学与工程学院、东南大学微电子学院第十一期微•电学术沙龙 “新型存储器与类神经态器件”顺利举办（图）
东南大学电子科学与工程学院 东南大学微电子学院 新型存储器 类神经态器件
2022/5/7
为加强学术交流、拓展研究思路、激发创新活力，2022年3月31日下午3点，东南大学电子、微电子学院举办了主题为“新型存储器与类神经态器件” 的第十一期微·电学术沙龙。本次沙龙以线上方式进行，邀请了南京大学万青老师与东南大学电子学院蔡浩老师进行了学术分享，吸引了100多名师生参加，由电子、微电子学院青委会秘书长黄晓东老师主持。
近期，中国科学院微电子研究所研究员刘新宇团队及合作者（中科院合肥物质科学研究院固体物理研究所王先平课题组、微电子所先导中心工艺平台等）在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。氮化镓界面态问题是III-N材料体系研究一直面临的核心问题，制约着器件的规模化和实用化。其中，深能级界面态很容易造成器件性能恶化，被研究者关注较多，目前已通过多种钝化方法（如SiNx，SiO2，AlN等）将器件界面态降低到1...