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全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究获进展（图）
中国科学院微电子研究所 多态 自旋轨道 磁性存储器件
2021/5/26
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作，研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。
近年来，瞬态电子学愈发受到关注。瞬态电子器件能够在完成预设的特定功能后自行降解于环境中，从而避免处理、回收电子废弃物所带来的困难以及处理不当所导致的环境污染。尽管目前利用转印法在水溶性衬底上制备瞬态电子器件是可行的，然而这一方法产率较低，电路复杂度有限，也难以大规模制备。近日，北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员课题组，以碳纳米管网络薄膜作为沟道材料，通...