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980 nm 垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备
垂直腔面发射激光器 欧姆接触 合金
2012/12/12
研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440 ℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 Ω,同时对比了440 ℃和450 ℃器件的输出功率和转换效率之间的对比...
适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
氮化镓器件 N型欧姆接触 制作方法
2011/11/3
本发明公开了一种适用于氮化镓（ＧａＮ）器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛／铝／钛／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）欧姆接触可能造成金属侧流和合金表面形貌粗糙的问题。针对铝镓氮／氮化镓异质结高电子迁移率器件（ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ）源／漏欧姆接触工艺中常规采用的Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ金属系，提出二次独立快速热退火技术方案，其中高温持续时间明显缩短，该技术使欧姆接触特性和...
全超导托卡马克装置欧姆放电逃逸电子行为研究
欧姆放电 马克装置 逃逸电子
2009/8/25
电子发生逃逸在托卡马克等离子体中是较常见的现象，特别是在等离子体破裂阶段，会产生大量的逃逸电子。本工作利用硬X射线监测系统，并结合其它相关诊断系统研究世界上第1个运行的全超导托卡马克（EAST）装置在欧姆放电的不同阶段逃逸电子的行为。研究结果表明：在欧姆放电起始阶段，逃逸电子的初级产生过程占主导地位。随着放电的进行，逃逸电子的次级雪崩过程逐渐增长，在放电后期一直到等离子体破裂阶段，雪崩过程将占据...
N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解
碳化硅 欧姆接触 比接触电阻
2009/1/31
精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率，用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻．针对N型Ni基SiC欧姆接触的实验结果进行了计算比较，结果表明采用该方法提取的比接触电阻比采用WKB近似计算的传统方法更加精确和符合实际情况．
N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响
N型 GaAs欧姆 接触电阻
2008/10/22
用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并...
碲锌镉半导体材料的欧姆电极
欧姆电极 碲锌镉
2008/8/27
一种碲锌镉（CdZnTe）半导体材料的电极，包括CdZnTe材料，金属电极层，电极引线。其特征是电极层是一层复合金属层，由铜-银层和金层组成。由于铜-银层中的铜更容易与CdZnTe形成欧姆接触，银则与CdZnTe之间有较好的附着力。因此，采用铜-银作为与CdZnTe相接触的第一层金属层，使欧姆电极与CdZnTe附着力强，电极大小可控制，重复性好，所测得的I-V曲线具有良好的线性。
欧姆加热杀菌技术的初步试验研究
欧姆加热 杀菌 单片机 控制系统
2007/8/10
欧姆加热技术利用物料的电导特性进行加热，升温迅速且均匀，营养损失少，将其应用于对流体食品的杀菌具有非常重要的意义。采用自行设计的欧姆加热杀菌试验电源装置进行单因素试验分析，初步的试验结果表明，欧姆加热杀菌方法对豆浆的总细菌具有明显的杀灭作用，而且保温时间、处理电压和处理频率对该杀菌方法的效果有显著影响。